近日，中科院大連化物所研究員吳忠?guī)浥c包信和院士、中科院物理研究所研究員郭麗偉合作，采用高溫熱解SiC法制備出高堆疊密度、單取向陣列、直接鍵合基底的站立石墨烯，并將其應用于高功率微型超級電容器。相關(guān)研究成果發(fā)表在《美國化學會納米》期刊上。

研究人員利用高溫熱解SiC基底方法制備出高堆疊密度、高導電、單一取向的站立石墨烯陣列。與傳統(tǒng)電極材料相比，該陣列直接生長在導電SiC基底上，在電極材料與集流體之間形成較強的界面鍵合作用，并建立了有效的離子和電子傳輸通道。電解液離子可沿著站立石墨烯平面無障礙快速移動，有效縮短了電解液離子路徑，同時，電子從石墨烯平面到集流體實現(xiàn)了快速傳輸及其存儲。采用該陣列的微型超級電容器在凝膠和離子液體電解液中均表現(xiàn)出較高的面容量、快速的頻率響應(9毫秒)、優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性以及超高掃描速率(200V/s)。該超級電容器功率密度達到61W/cm3，理論上可為小型化、集成化電子設(shè)備提供足夠的峰值功率。為發(fā)展強界面鍵合電極材料應用于高功率超級電容器提供了新方法。

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